14/07/16 01:57:14.45 7SplyuFS
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ｌ_ｊ_ｊ_ｊ と) ﾉ─| ﾉ | 二|二'' ＿
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3D V-NANDは、垂直方向にセルを生成するため、平面方向に極端な微細化をする必要がない。
30nmクラスの露光技術のままセルの層を増やすことで記録密度を上げていくことができるため、
セル間の電気的干渉の心配もなく、高価な露光装置も必要がない。
つまり、微細化に伴う課題を根本から解決する。そして、その結果として、記録容量（記録密度）、
パフォーマンス、耐久性、電力効率といったメリットをもたらす。
セル間の干渉がないため、複雑なエラー訂正プロセスは不要で、シンプルなアルゴリズムでデータの
書き換えを行えるため、1xnmに比べて書き換えの速度が約2倍、書き換え時の消費電力は約46％低く、
電力効率が高い。
耐久性（書き換え可能回数）についてもチャージトラップフラッシュの採用が大きく貢献しており、
従来の2～10倍に向上しているという。