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ハイニックス半導体は２９日、世界で初めて３０ナノクラス技術を適用した
高容量の４ギガビットＤＤＲ３ ＤＲＡＭを開発したと明らかにした。
また、３０ナノクラス２ギガビットＤＤＲ３ ＤＲＡＭの開発も計画通りに完了し、
来年１～３月期に量産に入ると説明した。
今回開発された３０ナノクラス４ギガビットＤＤＲ３ ＤＲＡＭは
大容量プレミアムサーバーおよび高仕様パソコンが求める
高容量・高性能・低電力の特性を満足させることができる製品。
ハイニックスは今後、同製品でプレミアム製品市場を先占する計画だ。
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３０ナノクラスＤＲＡＭは従来の４０ナノクラスＤＲＡＭに比べ、生産性が７０％程度向上され、
原価競争力を強化することができ、最大２１３３Ｍｂｐｓのデータ処理速度を実現。
従来の１３３３Ｍｂｐｓ製品比の処理速度が６０％程度速まった。
また１．２５ボルトの超低電圧とエコ技術を適用し、
従来の４０ナノクラス２ギガビット製品より６０％以上電力消耗を減らすことができる。
ハイニックス最高技術責任者（ＣＴＯ）の朴星ウク（パク・ソンウク）副社長は、
「現在、ＤＲＡＭ生産量全体の５０％程度を２ギガビット製品が占めており、
今後は高容量・高性能・低電力製品の割合を持続的に拡大していく」と話した。
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