【韓国経済】サムスン、40ナノプロセス4Gb DDR3 DRAM量産 [02/24]at NEWS4PLUS
【韓国経済】サムスン、40ナノプロセス4Gb DDR3 DRAM量産 [02/24] - 暇つぶし2ch907:<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
10/03/09 23:17:16 lVx0b4B/
>>887
使用する半導体が同じなら、サイズを微細化してスピードが上がる要因の最も支配的なものは、
FETに寄生して生じる”容量=C”ですね。これは物理的に避けられない。
現在のICのチップサイズは大きくても数10mmオーダーのため”距離”の要因は小さい。
結局、スピードは抵抗×容量=時定数に支配される。C×R=時定数が大きいとスピードが上げられない。
Rについては微細化しても、確かに距離は短くなるが幅も細くなるため抵抗値としては変化無し。
ただし配線の材料を変えればスピードも変化する。アルミ配線よりも銅配線の方が早いのはR(=抵抗)が小さいため。
しかしCについては微細化でそのまま比例して小さくなる。
これによって微細化すればするほど時定数が小さくなってスピードが上がり、
結果的に容量の充放電に要するエネルギーも小さくなるため消費電力も下がる。


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