【韓国経済】サムスン、40ナノプロセス4Gb DDR3 DRAM量産 [02/24]at NEWS4PLUS
【韓国経済】サムスン、40ナノプロセス4Gb DDR3 DRAM量産 [02/24] - 暇つぶし2ch887:<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
10/03/09 00:36:55 GFUDhE7i
>>881

薄膜トランジスタの構造見ればわかるけど、電子が特定の位置から位置へ
移動する(これでスイッチが一回入る)のに必要な時間をTとする。

そしてクロック一周期分の時間をtとする。

つねにt>Tでないといけない。

そしてtが小さくなればなるほど早い回路。そしてTを小さくするには

(1)電子の移動距離を小さくする

(2)電子が早く動ける半導体材料を使う(ガリウムヒ素とか)

の二つの方法がある。微細化は(1)の方法です。

URLリンク(ja.wikipedia.org)

MOSFETの図を見ると何となくわかる。

説明下手でごめんね。




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