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【ソウル２４日聯合ニュース】サムスン電子が世界半導体業界で初めて、４０ナノメートル級プロセスを用いた４ギガビット（Ｇｂ）
ＤＤＲ３ ＤＲＡＭの量産に入った。昨年７月に４０ナノ級２Ｇｂ ＤＤＲ３ ＤＲＡＭの量産を開始してから７カ月ぶりとなる。
サムスン電子は２４日、昨年１月に５０ナノ級プロセスを用いて世界で初めて開発した４Ｇｂ ＤＤＲ３ ＤＲＡＭについて、今月から
４０ナノ級の最新プロセスで量産に入ったと明らかにした。このＤＲＡＭで、サーバー用の３２ギガバイト（ＧＢ）・１６ＧＢモジュール、
ワークステーション（高性能コンピューター）・デスクトップパソコン・ノートパソコン用の８ＧＢモジュールなど、従来の製品より容量が
２倍多い大容量メモリーモジュール製品を供給する。
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▲４ギガビットＤＤＲ３ＤＲＡＭ（右下）と大容量メモリーモジュール製品＝（聯合ニュース）
昨年７月に量産を始めた４０ナノ級２Ｇｂ ＤＤＲ３ ＤＲＡＭでは、最大容量１６ＧＢのモジュール製品を供給したが、４Ｇｂ製品の
量産を受け、業界で初めて最大容量３２ＧＢのモジュールを供給できるようになった。
また、４Ｇｂ ＤＤＲ３ ＤＲＡＭ搭載モジュールは、容量は増えるが消費電力は既存の同一容量製品よりも大幅に減る。同社は、
サーバーで合計９６ＧＢのＤＲＡＭを使用した場合、４０ナノ級４Ｇｂ ＤＤＲ３ ＤＲＡＭを搭載したモジュールは４０ナノ級２Ｇｂ製品を
搭載したモジュールより電力消費量が約３５％少ないと説明している。
サムスン電子は４Ｇｂ ＤＤＲ３ ＤＲＡＭの量産を機に、４０ナノ級ＤＤＲ ＤＲＡＭの比率を拡大する。サーバー・パソコン用に供給
するＤＲＡＭのうち、上半期中に４０ナノ級製品の割合を９０％以上に引き上げる計画だ。
ソース：聯合ニュース日本語版 2010/02/24 13:23 KST
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