【韓国】三星(サムスン)電子半導体関連技術開発分野担当副社長が自宅で飛び降り自殺[01/27]at NEWS4PLUS
【韓国】三星(サムスン)電子半導体関連技術開発分野担当副社長が自宅で飛び降り自殺[01/27] - 暇つぶし2ch239:<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
10/01/30 15:18:01 xX+LF5Xz
NANDフラッシュメモリ2009第3四半期シェア
三星シェア39.3%
東芝34.6%
差はとうとう僅かに4.7%
アップルの怒りを買った影響が出る第4四半期は東芝が追い抜くどころか、凄い差で一位かもね。
つか、三星はハイニクスにも抜かれてるかもよ。

三星は東芝の新しい立体NANDメモリであるBiCSを開発して量産開発に入ったんだが、
一年後に三星がBiCSと同じマカロニ型立体型NANDを研究発表してきてさwww
拡散層とトラップゲートを反対にしただけのお間抜け品w
これで特許回避してるニダって胸張って言われて唖然としたわ。
そんな単純な発想はすでに研究してボツになっとるわww
たぶん、彼らはBiCSのような多層メモリは作れないw
現実的な技術はすでに東芝が押さえてあるから。
10nm世代で三星のプロセス競争は終わりだな。



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