15/03/25 12:05:50.86 .net
東芝がスマートフォンなどに使われる記憶用半導体の「３次元タイプ」のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーで、
韓国のサムスン電子を上回る製造技術を開発したことが２４日、わかった。記憶素子を垂直に積載する
３次元メモリーはサムスンが昨年から３２層の積層品を量産しているが、東芝は４８層のタイプを開発し
世界一に躍り出る。東芝は今年後半から量産する計画で、今後、スマホなどに保存できるデータ容量が
飛躍的に増える可能性がある。
東芝が開発する３次元メモリーは、従来タイプよりも記憶容量を大幅に高められ、半導体の小型化も
可能で、次世代の競争を左右する技術とされる。
これまでは記憶素子を平面に並べ、回路線幅を縮めることで、容量を拡大する手法が主流だったが、
微細化は限界に来ている。３次元メモリーは記憶素子を積むほど容量が大きくなる利点があるが、
製造コストがかかるのが課題だ。
昨年から量産を開始しているサムスンも不良品率が高く、採算面で厳しいとの声もある。東芝も同様の
課題を抱えていたが、生産技術のめどが立ち、サンプル出荷を決めた。メモリー容量は、サムスンよりも
上回っているもようだ。
東芝は、今夏に一部の建て替えが竣工（しゅんこう）する四日市工場（三重県四日市市）で、新製品を
量産する。
世界の記憶装置市場は今後、現在の１０倍に膨らむ見通しで、東芝やサムスンは数年以内に容量
１テラ（テラは１兆）バイトの３次元メモリーの開発を目指している。実現すれば、フルハイビジョンの
４倍の解像度を持つ高画質動画をスマホに数十時間分保存できる。
東芝は当面、コスト競争力の高い微細化に注力しつつ、３次元メモリーの生産技術も高め、競争を
優位に進めたい考えだ。
ソース：産経ニュース 2015.3.25 05:10
URLﾘﾝｸ(www.sankei.com)
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