13/11/27 15:14:24.68 0
★記憶容量が現行メモリの10倍＆消費電力は3分の2の次世代メモリ「MRAM」を日米20社の半導体企業が共同開発、いよいよ量産化が明確に
現行のDRAMに代わる次世代メモリとして期待される「MRAM」を、マイクロン・東京エレクトロンなど日米半導体
開発関連企業20社が、研究開発拠点となる東北大学「国際集積エレクトロニクス研究開発センター」で共同開発する
ことが決定しました。日米半導体連合は2018年のMRAM量産化を計画しており、いよいよ量産化に向けてMRAMの開発が
加速する見込みですが、「そもそもMRAMは現行のメモリとどう違うのか？」ということで、現行メモリとMRAMの違いや、
これまでの開発の流れをまとめました。
日米で次世代半導体 米マイクロンなど20社超参加 ：日本経済新聞
URLﾘﾝｸ(www.nikkei.com)
日本、空洞化に危機感 日米で次世代半導体 ：日本経済新聞
URLﾘﾝｸ(www.nikkei.com)
MRAM production gains momentum as Japanese and US companies team up - Neowin
URLﾘﾝｸ(www.neowin.net)
現状、スマートフォンやPCで使われる半導体メモリはほとんどがDRAMであり、構造上、電源供給がなくなると記憶情報が
失われる性質(揮発性)がありました。これに対して、MRAMは、DRAMと異なり情報の記憶に磁化状態を利用しているため
電源の供給が絶たれても記憶情報を失わない特性(不揮発性)を持ちます。このMRAMの不揮発性を活かすことで、例えば
スマートフォンの使用時間を現在の最大数十時間から数百時間に延ばすことができると試算されています。また、MRAMは、
DRAMに比べて記憶容量を10倍に増大させ、消費電力を3分の2に減少させることが可能であり、PCやスマートフォンなど
のモバイル端末の高機能化・高性能化が実現できると期待されています。
>>2へ続く
URLﾘﾝｸ(gigazine.net)