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集積回路の性能、電子特性から２０年ごろ限界－早大、模擬で実証
早稲田大学理工学術院の渡辺孝信教授、神岡武文次席研究員らの研究チームは、
高密度集積回路（ＬＳＩ）の性能について、現在のペースで技術開発が進むと、
電子の持つ性質によって２０２０年ごろに限界になる可能性が高いことを突き止めた。
シミュレーション解析によって分かったもので、製造技術の改良では克服できないことから、
新素材やＬＳＩの構造変更などが求められるとしている。
成果は米サンフランシスコで開催中の半導体素子の国際学会「ＩＥＤＭ」で１０日発表した。
ＬＳＩの中の電子の流れをコンピューターでシミュレーションした。
その結果、素子の回路線幅が１０ナノメートル（ナノは１０億分の１）程度、
動作周波数が数十ギガヘルツ（ギガは１０億）―１００ギガヘルツになると、
素子内を流れる電子数が大幅に少なくなり、
粒子としての性質から生じる数のバラつきの影響で、回路が動かなくなることが分かったという。
URLﾘﾝｸ(www.nikkan.co.jp)