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集積回路の性能、電子特性から20年ごろ限界-早大、模擬で実証
早稲田大学理工学術院の渡辺孝信教授、神岡武文次席研究員らの研究チームは、
高密度集積回路(LSI)の性能について、現在のペースで技術開発が進むと、
電子の持つ性質によって2020年ごろに限界になる可能性が高いことを突き止めた。
シミュレーション解析によって分かったもので、製造技術の改良では克服できないことから、
新素材やLSIの構造変更などが求められるとしている。
成果は米サンフランシスコで開催中の半導体素子の国際学会「IEDM」で10日発表した。
LSIの中の電子の流れをコンピューターでシミュレーションした。
その結果、素子の回路線幅が10ナノメートル(ナノは10億分の1)程度、
動作周波数が数十ギガヘルツ(ギガは10億)―100ギガヘルツになると、
素子内を流れる電子数が大幅に少なくなり、
粒子としての性質から生じる数のバラつきの影響で、回路が動かなくなることが分かったという。
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