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公的資金が注入されたエルピーダがサムスンを追撃！
エルピーダ、最先端の高速ＤＲＡＭ量産を開始
パソコン基幹部品のＤＲＡＭ大手エルピーダメモリは22日、主力拠点の広島工場（東広島市）で
最先端の高速ＤＲＡＭの量産を始めたと発表した。これに伴い2011年３月までに600億円を投資、
同工場の５割を最先端ラインに切り替える。生産効率を高めてチップのコスト競争力を強化し、
業界首位の韓国サムスン電子を追う。
エルピーダが量産を開始した先端品は回路線幅が45ナノ（ナノは10億分の１）メートルと、
ＤＲＡＭでは最も高集積化が進んでいる。ウエハーあたりのチップ取得数は同社54ナノ品比で1.4倍強。
10月の開発後、わずか２カ月で量産にこぎ着けた。
直径300ミリメートルウエハーで月産12万枚強の同工場の生産能力は変わらないが、
先端装置の導入と微細化技術の適用で、生産量は３割ほど増える計算になる。
新チップは消費電力も従来品の２分の１に低減。性能の優位性を前面に押し立て、シェアの拡大を狙う。
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