25/07/29 21:33:54.72 Rljlp52/.net
■ベンチマーク
★CrystalDiskMark 3/4/5/6/7/8
URLﾘﾝｸ(crystalmark.info)
※計測時のデータサイズは1000MBの5サイクルが主流、Ver3の512MB計測も重要
★◆phase.xReA氏のテストファイル
URLﾘﾝｸ(phase.s214.xrea.com)
※書き込み／USBメモリ内複製／削除時間を計測
★その他ベンチマーク
ATTO Disk Benchmark : URLﾘﾝｸ(www.atto.com)
CopySpdBench : URLﾘﾝｸ(d.hatena.ne.jp)
TxBench : URLﾘﾝｸ(www.texim.jp)
■エラーチェックツール
Check Flash : URLﾘﾝｸ(mikelab.kiev.ua)
H2testw : URLﾘﾝｸ(www.heise.de)
HDD-SCAN : URLﾘﾝｸ(www.hdd-data.jp)
■デバイス情報取得ツール
ChipGenius(中国語) : URLﾘﾝｸ(www.usbdev.ru)
USBDeview : URLﾘﾝｸ(www.nirsoft.net)
3:不明なデバイスさん
25/07/29 21:34:25.85 Rljlp52/.net
■NANDフラッシュメモリの種類及び特性
書き込みは電子を超高電圧を付加し、絶縁構造部を通過させる為、寿命は有限である
読み込みでは基本劣化しない、電子(電荷)は抜けるので定期的なリフレッシュが必要
※SLC 1セル1bit、書換可能回数は2D 2xnm＠6万回
長所 : 高速、高信頼性、長寿命
短所 : 高価、低容量
□応用技術：pSLC 1セル1bitの"疑似"SLC、書き換え可能回数は2～6万回
※MLC(TLC) 1セル2bit(3bit)、書換可能回数は1xnm＠3千回(1xnm＠数百回)
長所 : 大容量、低価格
短所 : 中速(低速)、中信頼性BCH-ECC推奨(低信頼性LDPC-ECC推奨)
※MLC 3D NAND(TLC/QLC) 1セル2bit(3bit/4bit)、書換可能回数は数千回(3千回/数百回など)
長所 : 超大容量、低価格、低消費電力、速度と書き込み耐性に優れる
短所 : 2D製品と比較して電荷が変化しやすい特徴がある
※フラッシュメモリの仕組み
URLﾘﾝｸ(www.kyoto-sr.co.jp)
4:不明なデバイスさん
25/07/29 21:35:09.52 Rljlp52/.net
今時テンプレが長いぞ
5:不明なデバイスさん
25/07/29 21:43:28.69 AzeX1ADT.net
いちおつ
6:不明なデバイスさん
25/07/30 10:14:14.77 UhfWoXWt.net
いちおつ
記憶シア
7:不明なデバイスさん
25/08/01 13:14:49.68 UiCoz4fu.net
USBメモリはもう需要がないのかね
8:不明なデバイスさん
25/08/01 21:39:58.28 oVtxc0Fd.net
>>7
ファミレスや電車内でPC使ってるサラリーマンはUSBメモリ突き刺している
USBメモリ紛失ってニュースはこういう人がやらかしているよね
駅で慌てて降りるとき周囲の人に接触してメモリ外れて
どこで落としたかわからない
9:不明なデバイスさん
25/08/01 22:09:22.36 DiPpBfWZ.net
それってUSBメモリじゃなくてセキュリティキーじゃないの?
抜くとPCが使えなくなるやつ