12/06/15 16:02:29.47 UbzAwMCN
不揮発性磁気メモリーで1京回書き換え実証に成功
ｽﾚﾘﾝｸ(bizplus板)
富士通、日立、東芝、三菱など電機メーカー１０社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合は、
次世代記憶素子であるスピン注入型不揮発性磁気メモリーで、１京（１兆の１万倍）回の
書き換え回数を実証することに成功した。
不揮発性ＭＲＡＭで１京回の書き換え実証は世界で初めて。
12/06/15 16:02:29.47 UbzAwMCN
不揮発性磁気メモリーで1京回書き換え実証に成功
ｽﾚﾘﾝｸ(bizplus板)
富士通、日立、東芝、三菱など電機メーカー１０社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合は、
次世代記憶素子であるスピン注入型不揮発性磁気メモリーで、１京（１兆の１万倍）回の
書き換え回数を実証することに成功した。
不揮発性ＭＲＡＭで１京回の書き換え実証は世界で初めて。