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エルピーダメモリは２２日、パソコン向けなどの記憶用半導体「ＤＲＡＭ」で、回路線幅が最小クラスの
２５ナノ（ナノは１０億分の１）メートルとしては世界初となる記憶容量４ギガ（ギガは１０億）ビットの製品開発に成功したと発表した。
微細化により、１枚のウエハーからとれるＤＲＡＭの数が従来品より約４５％増加。消費電力も動作時で２５～３０％、
待機電力も３０～５０％低減した。１２月から量産を開始し、タブレット端末や次世代ノートパソコン向けに売り込む。
同社は回路線幅２５ナノメートル製品として、８月から２ギガビット品をサンプル出荷しており、
さらに大容量の新製品でシェア拡大を狙う考えだ。
一方、ＤＲＡＭ世界首位の韓国サムスン電子も同日、９月中に２０ナノメートル級の２ギガビットＤＲＡＭの量産を
開始すると発表した。ただ、回路線幅の具体的な数値は明らかにはしておらず、「線幅はエルピーダと同等」（業界関係者）
との声もある。４ギガビット品の開発成功によって、エルピーダは最大のライバルに一歩先行したもようだ。
ソース：産経ニュース
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