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［東京 １３日 ロイター］ 東芝は１３日、韓国のハイニックス半導体と
次世代メモリーのＭＲＡＭ（磁気抵抗変化型ランダムアクセスメモリー）技術を
共同開発すると発表した。
韓国・利川にあるハイニックス社の研究施設で両社の技術者を集め、共同開発を行う。
ＭＲＡＭは電源を失ってもデータが失われない不揮発性メモリーで、
低消費電力で書き込み速度が速いなどの特徴を持つ。
東芝は、同社が注力するＮＡＮＤフラッシュメモリーとＭＲＡＭを組み合わせた
システムにより、新たなアプリケーション創出が期待できるとしている。
今回は、ＭＲＡＭ開発で実績がある両社が開発費負担を抑制しながら
実用化に向けて取り組みを加速する狙いで共同開発を決めた。
将来的な製造での協業についても両社が今後、協議するとしている。
ソースは
URLﾘﾝｸ(jp.reuters.com)
■東芝 URLﾘﾝｸ(www.toshiba.co.jp)
2011年7月13日 韓国ハイニックス社とのＭＲＡＭ技術の共同開発について
URLﾘﾝｸ(www.toshiba.co.jp)
株価 URLﾘﾝｸ(www.nikkei.com)
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