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[東京 13日 ロイター] 東芝は13日、韓国のハイニックス半導体と
次世代メモリーのMRAM(磁気抵抗変化型ランダムアクセスメモリー)技術を
共同開発すると発表した。
韓国・利川にあるハイニックス社の研究施設で両社の技術者を集め、共同開発を行う。
MRAMは電源を失ってもデータが失われない不揮発性メモリーで、
低消費電力で書き込み速度が速いなどの特徴を持つ。
東芝は、同社が注力するNANDフラッシュメモリーとMRAMを組み合わせた
システムにより、新たなアプリケーション創出が期待できるとしている。
今回は、MRAM開発で実績がある両社が開発費負担を抑制しながら
実用化に向けて取り組みを加速する狙いで共同開発を決めた。
将来的な製造での協業についても両社が今後、協議するとしている。
ソースは
URLリンク(jp.reuters.com)
■東芝 URLリンク(www.toshiba.co.jp)
2011年7月13日 韓国ハイニックス社とのMRAM技術の共同開発について
URLリンク(www.toshiba.co.jp)
株価 URLリンク(www.nikkei.com)
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