10/10/29 10:32:24
半導体メーカーの米Intel、東芝、韓国Samsung Electronicsが、半導体の回路幅を
2016年までに10ナノメートル（nm）近くにまで微細化する技術を共同開発すると、
日本経済新聞が報じた。
Samsungと東芝―NAND型フラッシュメモリでそれぞれ世界第1位と第2位―は、
世界最大の半導体メーカーであるIntelと協力して、近くコンソーシアムを結成し、
半導体素材や関連分野の企業約10社に参加を求めるつもりだという。
日本経済産業省はこの研究開発プロジェクトに対し、約100億円の初期資金のうち
およそ50億円を提供する可能性が高く、残る資金はコンソーシアム加盟社が出資する
見込みだと同紙は報じている。
東芝とSamsungはこの技術を使って10nmクラスのNAND型フラッシュメモリなどを
製造する計画で、Intelはより高速なプロセッサ開発にこの技術を使う可能性が高い
という。
1ナノメートルは1ミリの100万分の1で、髪の毛の太さの10万分の1。
ソースは
URLﾘﾝｸ(www.itmedia.co.jp)
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