10/10/13 11:00:22
エルピーダメモリとシャープ、東京大学などが、書き込み時間が大幅に短縮できる
次世代メモリーを共同開発することが１４日、わかった。
平成２５年の実用化を目指す。
エルピーダなどが開発を始めるのは、消費電力が少ないとされる
抵抗変化式メモリー（ＲｅＲＡＭ）。
携帯情報端末などに使われているＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの約１万倍の速さで
情報を書き込むことができる。
実用化されれば、携帯電話でフルハイビジョンの映画を数秒でダウンロードすることが
でき、待機時の使用電力もほぼゼロになるという。
ＲｅＲＡＭは、シャープが材料技術や製造方法の研究を進めており、
エルピーダのメモリー加工技術を組み合わせ、競争が激化する次世代メモリーの開発に
着手する。
東大や独立行政法人の産業技術総合研究所、半導体製造装置メーカーも参加し、
２５年に量産化を始める。
ソースは
URLﾘﾝｸ(sankei.jp.msn.com)
■エルピーダメモリ URLﾘﾝｸ(www.elpida.com)
株価 URLﾘﾝｸ(company.nikkei.co.jp)
■シャープ URLﾘﾝｸ(www.sharp.co.jp)
株価 URLﾘﾝｸ(company.nikkei.co.jp)
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