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★サムスン電子が３０ナノ級ＤＲＡＭ量産開始、世界初
【ソウル２１日聯合ニュース】サムスン電子は２１日、３０ナノメートル（１ナノは１０億分の１）クラスの
プロセスを用いた２ギガビットＤＤＲ３ ＤＲＡＭの量産を今月から開始したと明らかにした。
同クラスのＤＤＲ３ ＤＲＡＭ量産は世界で初めて。
同社によると、この製品は昨年７月にやはり世界初の量産に入った
４０ナノクラス工程適用のＤＤＲ３ ＤＲＡＭに比べ生産性が約６０％高く、
原価競争力は５０～６０ナノクラスＤＲＡＭの２倍以上に達する。
パソコン向け製品では最速のデータ処理速度、２１３３Ｍｂｐｓを実現した。
これは従来のＤＤＲ３ ＤＲＡＭの１．６倍、ＤＤＲ２ ＤＲＡＭの約３．５倍に当たる速度。
また、大容量メモリー製品に適した設計で、消費電力を従来の製品より大幅に抑えた。
デスクトップパソコンの４ギガバイトメモリーを使用する場合、
この製品を基盤とするモジュールの１時間当たり消費電力は１．７３ワットで、
現在の主力ＤＲＡＭ製品、５０ナノクラスＤＲＡＭ基盤モジュール（消費電力４．９５ワット）
の半分以下となっている。
同社は、主要ＣＰＵ（中央演算処理装置）メーカーが販売を開始した３０ナノクラスＣＰＵに
この製品を搭載すれば、超節電・高性能の「３０ナノＣＰＵ・ＤＲＡＭ」環境を実現できると話している。
サムスン電子は、年内に３０ナノクラス４ギガビットＤＤＲ３ ＤＲＡＭの量産体制に入り、
３０ナノクラスＤＲＡＭ市場の支配力を固める計画だ。
ソース 聯合ニュース 2010/07/21 14:56
URLﾘﾝｸ(japanese.yonhapnews.co.kr)