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- 世界初か、極微細フラッシュメモリー量産開始 サムスン -
【ソウル＝稲田清英】韓国のサムスン電子は１９日、半導体に描く回路の線幅が
２０ナノメートル（ナノは１０億分の１）台と微細な、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの量産を
始めたと発表した。２０ナノ台での量産化は「世界初」（同社）としている。
線幅が細いほど、同じ大きさでメモリーのデータ容量を増やせる。１枚のシリコンウエハー
からとれる半導体の数も増え、生産性が上がり、価格も下げられるという。
半導体業界では、スマートフォン（多機能携帯電話）向けなど高性能メモリーの需要が
高まる中、微細化をめぐる競争が激しくなっている。東芝も今年後半をめどに２０ナノ台での
量産を始める計画。
ソース ： 朝日 2010年4月19日18時26分
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