03/06/07 13:19 8m41DoCS
>>74
向こう20年以上はHEMTの役割が終わることはないと思われ。
化合物半導体は電子の移動速度がSiの3倍強とか5倍とかなので、同じサイズに
作ってもft(増幅度が1になる周波数)が高くできます。
ではSi-MOSFETのサイズを1/3とか1/5にすれば良いか、というと、そうはでき
ない事情=耐圧の問題があります。特にアナログ高周波回路ではSi-OSFETで太
刀打ちできる周波数はせいぜい3～5GHz、これでは14GHzのBSが見られません(笑)。
ちなみに衛星通信関係ではTWTという、真空管の遠い親戚が現役バリバリです。
またHEMTは超低ノイズだがMOSFETはノイズが多いという問題もあり。
HBTも細々と生き延びるかと。RTDって何だっけ、というのがアナログ高周波
回路屋さんの見解。
なお、ディジタル回路用途では、Si-MOSFETの快進撃にたいして迎え撃つは
SiGeだけど旗色悪し、というところではないかと思われ。