03/06/06 01:08 Foo+S34R
突然失礼いたします。
SOIとかダブルゲートとか高誘電体絶縁膜とかの技術でシリコンMOSFETの高速化が進んでいますが、そうなるとHEMT、HBT、RTDなどのヘテロ接合デバイス、量子効果デバイスの役目って無いような気がするんですが、先輩の方々はどのようにお考えでしょうか。
03/06/06 01:08 Foo+S34R
突然失礼いたします。
SOIとかダブルゲートとか高誘電体絶縁膜とかの技術でシリコンMOSFETの高速化が進んでいますが、そうなるとHEMT、HBT、RTDなどのヘテロ接合デバイス、量子効果デバイスの役目って無いような気がするんですが、先輩の方々はどのようにお考えでしょうか。