07/06/21 00:15:26 EwvRy3FD
ドープ量の異なる同種の半導体の接合は、階段接合ではなく傾斜接合になるのですか？
たとえば、ドープ濃度が10^18のものと10^19のものをくっつけたときなどです。
自分は濃度の高い材料から低いほうへ電子が流れていったぶんだけ、流れた側は正に帯電し、電子をもらった濃度の低い側は負に帯電すると考えていたのですが･･･
エネルギーバンドを考えたとき、接合部でバンドは曲がっても空乏層は出来ないのでしょうか？
07/06/21 00:15:26 EwvRy3FD
ドープ量の異なる同種の半導体の接合は、階段接合ではなく傾斜接合になるのですか？
たとえば、ドープ濃度が10^18のものと10^19のものをくっつけたときなどです。
自分は濃度の高い材料から低いほうへ電子が流れていったぶんだけ、流れた側は正に帯電し、電子をもらった濃度の低い側は負に帯電すると考えていたのですが･･･
エネルギーバンドを考えたとき、接合部でバンドは曲がっても空乏層は出来ないのでしょうか？