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05/07/25 09:15:25 doiYnF3d0
2005/07/25 09:13:18 【韓国】泥酔の現職裁判官、タクシー乗っ取り高速道路突っ走る【07/25】
2005/07/25 09:11:25 ース電流は21μAであるという。なお,今回
のa-Si TFT基板は,第5世代ラインの「L6」(基板寸法1100mm×1300mm)で2面取りした。TFT
プロセスは,液晶パネル用と同じ5枚マスク・プロセスを使っている。

 次に,暗い画素(ダーク・ピクセル)の発生を抑えるための,アノード表面の平坦化技術につ
いて述べた。カラー・フィルタ層とアノード電極の間に平坦化層を設けて,IZOアノード表面の
ラフネスを抑制しているとする。

 白色ELについては,従来の2波長型から,緑色のピークを持つ3波長型に変えることによって,
色再現性を向上した。この結果,NTSC比85%の色再現範囲を実現できるようになったという。
この場合の全白輝度は220cd/m2,白ピーク輝度は600cd/m2以上,消費電力は80~100W,
白色の色度はx=0.31,y=0.38である。

 封止技術については,40型の大型パネルに対応できる新技術を開発したことを明らかにした。
有機EL素子と封止用ガラスの間に中空部を設ける従来構造から,有機EL素子と封止用ガラスを
密着させる新構造に換えることによって,実現している。工程数は従来の7工程から5工程に減る
うえに,寿命は従来と同じ1000cd/m2で1万時間を維持できるという。新技術の導入により,
モジュール厚さも従来の1.8mmから1mmに薄くなった。なお,駆動技術については,今回の発表
では明らかにしなかった。

 今後の開発目標については,TFTの安定性10万時間,ELの寿命3万~5万時間,ELの効率1
5~20cd/A,色再現範囲NTSC比85~120%の実現のために,さらなる技術革新が必要だとする。
また,低い製造コストを実現するためのTFT基板技術やEL材料の開発が欠かせないという。
実用化時期については明確な発言をしなかったが,液晶パネルの性能改善や低コスト化が急
ピッチで進んでいることから,「市場に出す時期は非常に重要」(同社)と述べた。

日経マイクロデバイス/田中 直樹 2005/07/22 (要登録)
URLリンク(techon.nikkeibp.co.jp)

The 5th International Meeting on Information Display and Exhibition (IMID'05)
URLリンク(imid.k-ids.or.kr)

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URLリンク(news16.2ch.net)
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