16/06/07 21:17:47.76 CAP_USER.net
磁性半導体（Ga,Mn）Asが強磁性をしめすメカニ... | プレスリリース | 東北大学 -TOHOKU UNIVERSITY-
URLﾘﾝｸ(www.tohoku.ac.jp)
URLﾘﾝｸ(www.tohoku.ac.jp)
東北大学原子分子材料科学高等研究機構の相馬清吾准教授、高橋隆教授、松倉文礼教授、Tomasz Dietl教授、大野英男教授 、同理学研究科の佐藤宇史准教授らの研究グループは、磁性半導体(Ga,Mn)Asの強磁性発現機構の解明に成功しました。(Ga,Mn)Asは、よく知られた半導体であるGaAsに高濃度でMnを注入することで得られる物質です。半導体と磁性体の特質を併せもち、電気による磁性の制御を実現したこの物質は、スピントロニクスの発展に大きな貢献をしてきました。しかし、発見から20年経った現在においても、(Ga,Mn)Asがなぜ強磁性を示すのかについては大きな論争があり、スピントロニクス素子の動作を理解するための基盤が不確かな状況が続いていました。今回、研究グループは、(Ga,Mn)Asにおける電子の状態を光電子分光という手法で直接観測することに成功し、Asの結合軌道に注入されたホールキャリアが強磁性に重要な役割を果たすことを見出しました。この成果により、磁性半導体材料の開発や電子スピンの制御機構の理解が進むことが期待されます。
本成果は、平成28年6月6日（英国時間）付けで、英国Nature Publishing Group (NPG)発行の科学雑誌Scientific Reportsのオンライン速報版に掲載されました。