09/08/17 11:45:27 2NQB8ds8
>3bit/セルのNANDフラッシュ技術をMicronが語る
>URLﾘﾝｸ(pc.watch.impress.co.jp)
> NANDフラッシュメモリはデータの書き換え回数に制限がある。SLCの書き換え可能な
>回数(Endurance)は10万回であるのに対し、MLC- 2ではその10分の1である1万回に減少する。
>そして今後の微細化ととともに、MLC-2の書き換え可能な回数はさらに減る傾向にある。
>ただしコンシューマ用では、書き換え回数の減少はそれほど問題にならないとする。
> 当たり前のことだが、MLC-3では記憶容量当たりのコストは、SLCおよびMLC-2よりも低くなる。
>大容量のNANDフラッシュメモリを低いコストで製造できる。
> ただし低いコストの見返りに、MLC-3では性能を失う。書き込み時間と読み出し時間が伸び、
>それぞれのスループットは低下する。例えば書き込みスループットはSLCでは30MB/sec～35MB/secで
>あったのが、MLC-3では5MB/sec～8MB/secに下がってしまう。MLC-3は書き込みがいくつもの段階に
>分かれているので、時間がかかってしまうのは当然とも言える。
> また書き換え可能回数も低下する。講演では具体的な回数を示さなかったが、MLC-3ではMLC-2より
>も低い書き換え可能回数にとどまると説明していた。MLC-3の書き換え可能回数が下がるのは原理的
>なものなので、MLC-2を上回ることはありえない。なぜなら、MLC-3では1回のデータ書き込みで
>実質的には少なくとも3回の書き込みを実行しているからだ。その分、メモリセルの劣化は必ず早まる。