07/10/25 10:49:10
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日本のフラッシュメモリ製造会社の東芝が、三星電子に挑戦状を叩き出したが苦杯を嘗めた。
去る8日、東芝は2009年から世界初の30ナノ（1ナノ＝10億分の1）級の次世代半導体メモリを
大量生産する計画と言いながら、来春には43ナノ級技術の量産を皮切りに、2009年からは
30ナノ級を大量生産する事で、現在業界1位の企業である三星電子を追い越すと宣言していた。
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だが去る23日、三星電子が業界初の最大用量（64ギガビット=Gb）と最小線幅（30ナノメートル
=nm）のNANDフラッシュメモリ（電源が切れた状態でも大容量データの保存が可能なメモリ
半導体）の開発に成功したと明らかにした。これで東芝としては、三星に追い付くという野心が
また泡と消えた。東芝が三星に挑戦状を叩きだした時、三星は黙々とこれを見守っていて
決定打を飛ばしたのである。
今度の開発の成功を通じて、今後3～4年間の市場を確実に掌握する事になった三星電子は
メモリ業界で主導権を誇示する一方、1999年以降メモリ集積の度合いを二倍ずつ高めて、
『黄色の法則』と呼ばれる『半導体新成長論』を8年連続で立証した。
今回、三星が開発に成功した30ナノ技術は、髪の毛の1/4､000にあたる超繊細技術。 メモリ
半導体は、どれだけ多くの用量を集積出来るかが核心技術だが、これは製造原価は低くなり
サイズも小さくなるほど活用度が高くなる。これによって三星電子は2009年から量産を開始
すれば、2011年までに200億ドル（18兆ウォン）規模の新規市場を新たに作れると見込んでいる。
ネチズン達は、業界1位を固守する三星電子を誇らしく思い、東芝の鼻っ柱をへし折った事に
対して、通快さを隠す事が出来ない。
ソース：DCインサイドニュース（韓国語）
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