07/03/02 14:00:43
三星電子、60ナノＤＲＡＭ量産突入…日本・台湾と技術格差また開く
三星（サムスン）電子が世界初60ナノメートル（ｎｍ）プロセスを適用したＤＲＡＭ量産に入った。
昨年3月80ナノプロセスＤＲＡＭ量産に入ってから1年で2段階を飛び越えたのだ。
三星電子は1日、60ナノプロセスの1ギガビット（ＧＢ）ＤＲＡＭチップ（写真）と、
このチップを16個集めた2ギガバイト（ＧＢ）ＤＲＡＭモジュール量産に入ったと明らかにした。
2ＧＢモジュール1つコンピューターに設置すればウィンドウビスタの勧奨メモリーを満たすことが
できる。また60ナノプロセスを適用すればチップの大きさが小さくなるので同じウェファーを
投入した際、既存80ナノより生産されるチップ数が40％以上多い。
60ナノＤＲＡＭ技術は三星電子が2005年に開発した。同社は2000年150ナノ技術を
開発した後、昨年50ナノまで微細回路プロセス技術を7年連続世界初として発表してきた。
三星電子の60ナノプロセス導入は日本と台湾企業が「打倒韓国」に出る状況を考慮した場合、
ますます輝かしい結果だ。先月ＤＲＡＭ分野世界5位のエルピーダ（日本）が7位のパワーチップ
（台湾）と手を結び、1兆6000億円を投入すると発表した。日本経済新聞は「エルピーダ70
ナノプロセスで三星電子より先を行く」と報道した。三星電子は70ナノプロセスを飛ばして
60ナノに進入し、追撃を振り払ったのだ。三星電子は60ナノＤＲＡＭ市場が今年23億ドルを
皮切りに2009年まですべて320億ドルに達するものと見ている。
◆ナノメートル＝1ｎｍは10億分の1メートルをいう。60ナノは大人の髪の毛の太さの
2000分の1の水準だ。
（中央日報） URLﾘﾝｸ(japanese.joins.com)
（画 像） URLﾘﾝｸ(japanese.joins.com)
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