07/01/11 18:43:06
日本半導体企業の‘打倒三星電子’が本格化している。 攻撃的な大型設備投資計画を相次
いで発表したのに続き、半導体事業の核心技術である‘微細化技術’の一部でも三星（サムスン）
電子を追い抜き始めた。 日本経済新聞は１１日、「日本の半導体企業はその間、全方向戦略を
駆使する三星電子に押されていたが、今では従来とは違い‘競争の段階’にきている」と報じた。
◇最先端ＤＲＡＭと非メモリーの微細化で先行＝現在世界５位のＤＲＡＭ企業である日本のエル
ピーダメモリは１１日、記憶容量が従来より６割多い７０ナノ（ナノは１０億分の１メートル）のＤＲＡＭ
を広島工場で生産し始めた、と明らかにした。 これを受け、エルピーダメモリは従来の主力製品だっ
た９０ナノ製品の生産に比べ製造コストを４０％削減することになった。 現在８０ナノ製品を主に生産
中の三星電子は７０ナノＤＲＡＭでなく、今年下半期に６０ナノ生産体制に入ると伝えられている。
半導体業界では、回路の線幅を縮小する‘微細化技術’が性能の向上とコスト削減、さらに新市場
創出の核心と見なされている。 エルピーダメモリは２世代前の技術である９０ナノＤＲＡＭの生産で三
星電子に半年以上の遅れをとっていたが、８０ナノで３カ月先行、今回の７０ナノでもリードしているこ
とを受け、シェア拡大を狙うことになった。
また非メモリー半導体のフラッシュメモリー市場で三星電子に次ぐ世界２位の東芝も、今月中に５
６ナノのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの生産を始める、と明らかにした。 この場合、現行の７０ナノに比
べて容量が６０％増え、製造コストも大幅に下がる見込みだ。 三星は昨年７月に６０ナノフラッシュの
生産を開始、今年第１四半期中に５０ナノを生産する計画だ。 東芝も９０ナノでは三星に遅れをとった
が、５０ナノ型では先行している。
◇「経営資源の集中が成功」＝日本経済新聞は「エルピーダメモリと東芝が競争力を取り戻したの
は製造が難しい携帯電話用ＤＲＡＭや大容量データの蓄積に適したＮＡＮＤ型フラッシュメモリーなど
核心分野に経営資源を集中したため」と分析した。
日本の半導体会社は８０年代に世界市場の８０％を掌握し、微細化技術でリードしていたが、投資
時期の判断ミスから９０年代後半には三星電子の微細化技術と投資攻勢に押された。 その後、世界
１・２位を争ったＮＥＣと日立が事業を統合してエルピーダメモリをスタートさせるなど‘半導体大国復活’
を掲げて腐心してきた。 業界の専門家らは「韓国と日本の半導体企業間の主導権争いが次第に激しく
なるだろう」と予想している。
URLﾘﾝｸ(japanese.joins.com)
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