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日本のエルピーダメモリと台湾のパワーチップ半導体が合弁会社を設立すると、ウォールストリート・ジャーナル・
アジア版が8日付で報道した。
同紙によると、両社は7日、それぞれ資本金155億ドルを投資した持ち分50対50の合弁会社を設立し、台湾中部
地域に四つの半導体製造ラインを新築し、11年から、月24万枚の半導体ウェハーを生産する予定だ。
Dラム半導体の売上げ規模がそれぞれ世界第5位と第7位のエルピーダメモリとパワーチップ半導体は、合弁会社
を通じて世界第1位の三星(サムスン)電子を追い越すという目標を立てた。
三星電子の関係者は、「両社のマーケットーシェアを合わせても約19%で、三星電子のシェアが28%という点を勘案
すれば、まだ相当な格差がある」と言った。
ソース:東亜日報
URLリンク(japanese.donga.com)
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