10/02/03 15:58:08 RB35Ow4N
ソースはギガジン
URLﾘﾝｸ(gigazine.net)
IntelとMicronが25nmプロセスを採用した世界初のNANDフラッシュメモリを
発表しました。
製造プロセスが微細化されたことによって1チップで8GBという大容量を
実現しており、 SSDなどのフラッシュメモリ製品やiPhoneをはじめとした
スマートフォン、音楽プレーヤーなどを 従来よりも高いコストパフォーマンス
で大容量化できることなどが見込めます。
詳細は以下から。
インテルとマイクロン、半導体業界最小最先端の 25nm プロセス技術による
NAND 型フラッシュメモリーを発表
URLﾘﾝｸ(www.intel.co.jp)
このリリースによると、IntelとMicron Technologyは、世界初となる
25nm（ナノメートル）プロセス技術を 採用したNANDフラッシュメモリを
発表したそうです。
サンプル出荷は現地時間の2月1日より開始され、量産出荷は2010年
第2四半期（4～6月）になる予定。
新たに開発されたフラッシュメモリは1チップに8GBの容量を実現したモデルで
、面積は コンパクトディスクの中央の穴よりも小さい167平方ミリメートルと
なっており、これまでの プロセス技術に比べてチップ数を50％削減可能とのこと。
そしてこのフラッシュメモリを搭載することで、携帯音楽プレーヤーや
メディアプレーヤー、 スマートフォン、SSD（ソリッド・ステート・
ドライブ）などを従来よりも高いコストパフォーマンスで
大容量化できるとされています。
ちなみに量産品の出荷が2010年第2四半期になるということは、
例年通りであれば新型iPhoneの 発売時期と重なることになりますが、
第4世代となる新型iPhoneは従来以上に大容量の フラッシュメモリを
搭載したモデルとなるのでしょうか。
任天堂が開発中であるとされる次世代「ニンテンドーDS」やソニーの
「次世代PSP」などの 記録媒体としての採用や、転送速度と耐久性に
定評があるIntelのハイエンドSSDの大容量化にも
期待したいところです。