【韓国経済】サムスン電子、インテル抜いて半導体売上世界1位に [895142347]

【韓国経済】サムスン電子、インテル抜いて半導体売上世界1位に [895142347]at POVERTY

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85:番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です 
 17/11/23 15:30:31.01 E9aa5kbT0.net
NANDは1987年に東芝が発明した半導体メモリであり、2007年に世界に先駆けて3次元NANDの 
　学会発表を行ったのも東芝である。 
　にもかかわらず、なぜ、その量産でサムスン電子にこれほどまで差をつけられてしまったのか。 
　　　： 
　そこで東芝は、サムスン電子が採用していたシリコン酸化膜（SiO2）／シリコン窒化膜（SiN）／ 
　シリコン酸化膜（SiO2）／シリコン窒化膜（SiN）／…という構造を模倣した（要するにパクった）。 
　これを「SNSN構造」という。シリコン窒化膜（SiN）は、シリコン酸化膜（SiO2）と同じ絶縁膜に 
　分類されるので、この構造なら同じ装置での一括加工が可能になる。 
　実は、サムスン電子がNANDにいち早く採用した「SNSN構造」も、サムスン電子が開発したもの 
　ではなく、米スパンションのNORフラッシュという半導体メモリの構造を模倣した（要するにパクった） 
　ものである。また東芝の技術者曰く、「湯之上の言うことは正確ではない。東芝は、サムスン電子を 
　パクったSK Hynixをパクったのだ」。 
　　： 
　このことを知っていた元ドライエッチング技術者の資材担当者は、両社に相見積を取った。 
　ここまでは、資材担当者としては当然やるべき仕事をやったに過ぎない。ところが、見積もった結果、 
　ラムリサーチよりアプライドの方が3割ほど安かったらしい。そして、「同じような装置なのだから」 
　という理由で、安い方のアプライドを買ってしまったというわけである。 
　東芝のドライエッチング部隊はさぞや驚いたことだろう。選定した装置とは違うものが購入されて 
　きたたわけだから。しかし、東芝のドライエッチング部隊は、選定しなかった（性能が悪い方の） 
　装置を使って孔を開けようと奮闘するのである。しかし、やはり孔は開かなかった。 
　　： 
　第二に（これが問題なのだが）、東芝の技術者は根拠のない自信を持っているせいで、 
　「そんな特殊なガスを使わなくても孔を開けてみせる」と言い張った。 
　ところが、やはり孔は開かなかった。その結果、ラムリサーチ推奨のガスを使うことになり、 
　半導体工場における集中配管システムの工事が行われるに至るわけだ。 
　こうして東芝の迷走を綴ってみると、素直に最初からラムリサーチのドライエッチング装置を買い、 
　ラムリサーチの言う通りのガスを使っていればと、思わずにはいられない。 
　東芝はまるで、「我に艱難辛苦を与えよ」とでも思って自らドツボに陥っているとしか 
　思えないのである。そして、徒に時間だけが過ぎていく。

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