11/05/25 23:10:49.90 TODrx2dS
>>749 推測の域ですが
URLﾘﾝｸ(www.yokogawa.co.jp)
ここのHBTはhfeは37ぐらいで低い。（通信学会発表論文 A 100-GHz-band
quadruple power combined monolithic HBT oscillator 参照）
hfeは37で寿命劣化が飽和してしまうから、寿命試験でこれ以上hfeの
低下が起きないことで信頼性が維持できるので、InP HBT は hfe が
低いトランジスタの方が寿命試験の耐性が良い。しかしベース電流が
大きいので >>749 をすることが必要である。
790:名無しＳＵＮ
11/05/26 12:16:05.65 dmT2oEWD
Global Compound Semiconductors Co.のInP HBTのhfeがおよそ30だね
URLﾘﾝｸ(www.csmantech.org)
791:名無しＳＵＮ
11/05/26 13:23:32.99 oA82SIRg
↑
>>727 URLﾘﾝｸ(www.csmantech.org)
>749を施していない。 hfeのバラツキが35～45だけどな
792:名無しＳＵＮ
11/05/26 13:53:26.65 oA82SIRg
ここは、カルフォルにア大 サンタバーバラ校のM.Rodwell教授に登場して
もらいましょう。
URLﾘﾝｸ(www.nnin.org)
9ページにエミッタはポリでも良いので、エミッタだけは再成長して
作り込む方法が取られているようです。
Low Parasitic、Scalable HBT Processes
Monocrystaliine Emitter Regrowth
793:名無しＳＵＮ
11/05/26 17:02:51.12 L7yDwTnU
>>792 8ページに以下の不良モードが示されていた その対策が9ページ？
エミッタとベースのショート
エミッタ・コンタクトの剥離
段差による断線
794:名無しＳＵＮ
11/05/26 23:21:28.46 f8RzhteK
>>721 実は、問題があったのね
795:名無しＳＵＮ
11/05/26 23:27:33.53 NuqHk3y6
699 ：名無しＳＵＮ：2011/03/05(土) 22:31:30.08 ID:DglhG95G
>>692
Global Compound Semiconductors Co. は、InP HBT のファンドリでは有名
Inphi Corp 、OpNext Corp の高速部品に必要な InP HBT は、ここを使っているんだ
URLﾘﾝｸ(www.gcsincorp.com)
↑
最後のページに C-dope InP は品質が良いような結果を示すデータがあるけど
確かでしょうか？
700 ：名無しＳＵＮ：2011/03/05(土) 23:05:16.59 ID:DglhG95G
>>699
C-doped は、よさげのようです。
URLﾘﾝｸ(mdcl.snu.ac.kr)
URLﾘﾝｸ(lib.semi.ac.cn:8080)
701 ：名無しＳＵＮ：2011/03/06(日) 00:24:39.97 ID:jIOnJbf5
IDが変わらなかったよ・・・orz
せっかく自演してたのに
（´・ω・｀）
796:名無しＳＵＮ
11/05/26 23:28:49.68 NuqHk3y6
永遠に自作自演？ （´・ω・｀）
797:名無しＳＵＮ
11/05/27 13:19:25.10 ghKWsbpl
【情報が入り乱れているので整理します。】
URLﾘﾝｸ(www.csmantech.org)
↑ エミッタは再成長、ベース・コンタクトのメタルはアロイしていない。
URLﾘﾝｸ(www.csmantech.org)
↑ エミッタはメサ
>>792の情報は古く ↓ 新しいのはこれ
URLﾘﾝｸ(www.ece.ucsb.edu)
hfeは、Fig.10 にあるように Ledge の厚さに依存しています。ベース・コンタクトは
E.Self-Aligned Plated-Base-Contact Technology に記述があり、サイドウォールで
セルフアラインです。
798:名無しＳＵＮ
11/05/27 16:37:10.50 Z9JZ2QlL
>ベース・コンタクトのメタルはアロイしていない。
やっぱ、台湾は進んでいる
URLﾘﾝｸ(jjap.jsap.jp)
799:名無しＳＵＮ
11/05/28 00:43:27.35 iTLraO0M
2002 May 03 付け のニュースです。古いので御免 InPの情報が盛り沢山ある
URLﾘﾝｸ(compoundsemiconductor.net)
URLﾘﾝｸ(compoundsemiconductor.net)
800:名無しＳＵＮ
11/05/28 08:19:28.38 PezOh0Vh
>>797 続きですが、参考になります。
M.Rodwell教授のpdf
URLﾘﾝｸ(escholarship.org)
URLﾘﾝｸ(www.ece.ucsb.edu)
Global Compound Semiconductors Co. ドライエッチでも問題ない
URLﾘﾝｸ(www.csmantech.org)
801:名無しＳＵＮ
11/05/28 14:14:19.79 q3dp/lU6
>>721 >>747 >>798
低抵抗にする必要があるベース・コンタクトでみなさん苦労している
知らない人には分らないだろうけど、低温メタライズ、低拡散の両方
とも満足する配線材料がないから、コンタクトをどうするかで悩む
「これが完璧だ」がないのね、どうしよう？
802:名無しＳＵＮ
11/05/28 20:05:34.41 T5iIcktP
＞「これが完璧だ」がないのね、どうしよう？
以下の不良モードの可能性があるからだろう。
793 ：名無しＳＵＮ：2011/05/26(木) 17:02:51.12 ID:L7yDwTnU
>>792 8ページに以下の不良モードが示されていた その対策が9ページ？
エミッタとベースのショート
エミッタ・コンタクトの剥離
段差による断線
>>797 ＞ベース・コンタクトのメタルはアロイしていない。
コンタクトは、上層からAu/Pt/Tiの順だが、Au/Ptをアロイしないように
しているだけで>>798は、使ってないと思う。Au/Ptをアロイしてしまうと
意味ないもんな。
803:名無しＳＵＮ
11/05/29 13:59:49.66 K7259b4o
Cu だと 350℃ 30min までは 問題ない
URLﾘﾝｸ(www.eic.nctu.edu.tw)
H社だけど、Au での評価はどう、いいの？
URLﾘﾝｸ(www.j-tokkyo.com)
804:名無しＳＵＮ
11/05/29 19:07:31.04 DX1kJfS6
H社の論文を読んだが、MoがInGaAsの430℃アニールに耐える表面保護膜として使える
と解釈した方が良いように思えた。それにPtがAuの混晶になっているのも気になる。
通電評価を見たい。
URLﾘﾝｸ(citeseerx.ist.psu.edu)
>>803 ＞Cu だと 350℃ 30min までは 問題ない
これも、そうだけど、正式に評価してみないと分らないが、Cuの場合、通電に於ける
マイグレーションに対して強いので、CuのInGaAsへの拡散が抑えられているのかもしれない。
805:名無しＳＵＮ
11/05/29 21:47:22.87 Ljz7ubdG
Ptの上にAuを堆積すると、PtにAuが溶け込むことが問題なのである。
超マル秘だが、公開しよう。金は有機溶剤で溶けることを突き止められ
低温にすると析出する。これでPt上にAuを堆積する研究をしている。
有機溶媒系における金の可逆的な溶解・析出
URLﾘﾝｸ(www.aist.go.jp)
↑
ここの関係者でないので、あしからず
806:名無しＳＵＮ
11/05/30 19:45:46.64 Z1VYDyP2
>>804
Au/Pt(Alloyed with Au)/Tiを使うのか？
Au/Pt/Tiにすれば良いのに、堆積の温度管理をしっかりすれば良い
融点 金 1064.43 白金 1769 Ti 1660 銅 1083.4
807:名無しＳＵＮ
11/05/30 21:32:01.19 6qHo12dG
InGaAsのオーミック・コンタクトについて理論からプロセス、問題点の解説
URLﾘﾝｸ(patentinfo.jp)
808:名無しＳＵＮ
11/05/31 11:15:48.41 WazNDCvB
極小ブラックホール、地球を毎日通過？
URLﾘﾝｸ(www.nationalgeographic.co.jp)
809:名無しＳＵＮ
11/05/31 12:58:14.76 h0+sDo31
ダークマターのブラックホール説の復活ですか？
最近は、ダークマターはグラビティーノの説が有力だったが
どちらにしても重力に関係している素粒子、未確認物質には
違いない
810:名無しＳＵＮ
11/06/01 17:54:42.18 bEPQ3hK6
>>805
超マル秘であらず、既にあり、Au蒸着は下地のPt/Tiを剥がす可能性があるので
メッキの方が良い
URLﾘﾝｸ(www.mitsubishielectric.co.jp)
811:名無しＳＵＮ
11/06/01 21:24:39.98 OY/OjBd0
化合物半導体で銅配線はまだ信頼性の問題で実用化されていない
この研究室が、このテーマで紹介されていたのでアップ
URLﾘﾝｸ(www.titech-coop.or.jp)
812:名無しＳＵＮ
11/06/02 21:56:23.33 iZN5puUq
半導体プロセスで銅は必ず液体に溶かして使うのは、銅汚染が恐いからと
聞いたけど、真空成膜なんて銅汚染対策はどうするのでしょうか？
URLﾘﾝｸ(www.shinmaywa.co.jp)
813:名無しＳＵＮ
11/06/04 22:15:23.86 QEVDiW3h
電波天文観測用の超高速アナログ/ディジタル変換器の専業メーカーだけど
関心ある人はどうぞ
URLﾘﾝｸ(www.astronixresearch.com)
814:名無しＳＵＮ
11/06/05 14:37:42.86 RMFdr+25
DEMUXは、希少になったね アンリツデバイスが1:16製品を出している
なぜ1:16しかない。必要ないから SDH OC-192 あるいは SONET STM64 に対応のみ
Intel LXT16784/LTX16785 が有名
URLﾘﾝｸ(www.iele.polsl.pl)
現存するかは、定かでないので調査要
815:名無しＳＵＮ
11/06/05 17:28:14.24 f12Ep17k
何がなんでも1:8にしたい人は、2:1MUX を8個追加するしかない
URLﾘﾝｸ(datasheets.maxim-ic.com)
1:16 では出力は 250Mbps なので100Kシリーズで充分だよ
従って 1:8 では出力は 500Mbps でよいはず
816:名無しＳＵＮ
11/06/05 21:30:03.44 tjf1cYLr
探せばあるもんだ、1:8 DEMUX
Inphiから出ていた
URLﾘﾝｸ(www.inphi.com)
817:名無しＳＵＮ
11/06/05 23:07:03.73 Yk7KffBq
>>815
500Mbps のクロックは 4GHz を8分の1の分周器で作ればよいことを書くの
忘れていたので補足しておく 分周器に下記のものが使える
URLﾘﾝｸ(www.onsemi.jp)
818:名無しＳＵＮ
11/06/05 23:14:24.14 Yk7KffBq
CML I/O について詳しい資料も入りようなら、これがよい
URLﾘﾝｸ(www.national.com)
819:名無しＳＵＮ
11/06/10 00:09:01.71 BMoaf0b6
過去ログ拾い
＞KEK では 4Gsps 10bit ADC は、もうで来ていますね。
＞URLﾘﾝｸ(www.kek.jp)
＞但し、インターリブで使う時は、サンプル／ホールドが必要でHMC660LC4Bの
＞LSIが必要になります。Hittite Microwave Corporation の製品は、日本では
＞セイントテクノロジーが扱っています。
＞URLﾘﾝｸ(www.hittite.com)
820:名無しＳＵＮ
11/06/10 00:25:14.88 BMoaf0b6
これだとインターリブなので、DEMUX は1:8でなく1:4だな
821:名無しＳＵＮ
11/06/10 00:52:55.45 BMoaf0b6
入手可能なADCだと、EV10AS150Aが良いのでは？ 1:4のDEMUXも搭載されている
URLﾘﾝｸ(www.e2v.com)
822:名無しＳＵＮ
11/06/10 13:48:50.89 On4Aal6s
基本ロジックの10GHz製品はオンセミコンダクタにあるよ
URLﾘﾝｸ(www.onsemi.jp)
823:名無しＳＵＮ
11/06/10 15:32:56.37 OjmMYiyG
オンセミコンダクタの12GHz製品もどうぞ
URLﾘﾝｸ(www.onsemi.jp)
824:名無しＳＵＮ
11/06/11 00:11:15.74 vjIbtXpU
販売代理店は、URLﾘﾝｸ(www.indexpro.co.jp)
で検索できる
例えば、Hittite Microwave あるいは e2v 、 オンセミコンダクター などと
入力すれば検索結果の該当社名が現れ、右端に代理店・取扱店のボタンがある
ので、そこをクリックすれば一覧が出てくる。
825:名無しＳＵＮ
11/06/11 19:42:10.71 uVFRh5jg
ここの、先生方は、軽犯罪法1条22号、会計法第29条を知らない人が多い。
国家公務員倫理規定違反だから、こんなことをしたら、休職処分か減給処分に
なるんじゃないのか？
826:名無しＳＵＮ
11/06/11 21:54:25.95 oFhWxozx
ADS3000+ はすごいよな URLﾘﾝｸ(www.cosmoresearch.co.jp)
ヒートシンクを外したボード写真あり
URLﾘﾝｸ(www.radionet-eu.org)
ヒートシンクが付いてる実装写真あり
fURLﾘﾝｸ(ivscc.gsfc.nasa.gov)
827:名無しＳＵＮ
11/06/11 23:43:50.72 eDxbAoGj
これも、見方を変えるとすごいよな
URLﾘﾝｸ(www.kanagawa-iri.go.jp)
828:名無しＳＵＮ
11/06/12 00:34:34.54 d1ZT2b/+
これが、噂になっている8Gサンプリング/秒・超高速A/D変換器です
URLﾘﾝｸ(kaken.nii.ac.jp)
829:名無しＳＵＮ
11/06/12 12:25:04.99 SfmZeMPv
>>827
反射の対策がないパターンだな >>826 を参考にするとよい
反射は、多少なりとも起き、全くなくすことはできない。
配線を長くして戻ってくる反射波を減衰させるのが基本で、等長配線する必要が
ある場合、配線を曲げれば可能になり、真すぐだとインダクタンスが大きくなり
曲げることによって電流の向きが逆方向になるので、互いにキャンセルしてイン
ダクタンスが小さくなる。これは常識
830:名無しＳＵＮ
11/06/12 14:23:37.86 NbtHWkYy
>>826 フリンジングが出ていますが、いつも不思議に思うのは
FFTをすると基本波に対して高調波もスペクトルで現れるはずですが
出ていない。
URLﾘﾝｸ(www2.nict.go.jp)
「アナログ・デジタル変換に鼻薬を」ではノイズが重畳していると
この高調波はなくなることを説いています。電波天文観測は初めから
ノイズ重畳の処理が自然にされているから、不思議でなくなってしまう
のでしょうか？
URLﾘﾝｸ(www.ustream.tv)
831:名無しＳＵＮ
11/06/13 17:50:01.78 7eJ07Qgi
良い意味での電波な人でなく、悪い意味での電波な人で有名な近田先生です。
URLﾘﾝｸ(mimizun.com)
832:名無しＳＵＮ
11/06/14 12:28:23.08 KsK1HSXN
>>827
廉価版でない方は、金属ケースを使ったパッケージが使われているが、
写真から判断すると、ICの放熱対策としてヒートパイプ技術を使った
クーラーが採用されていない。例外があるが、ICの表面温度を10度
下げると寿命が一桁上がることを知っているのか？
>>829
それだけでなく、>>826 は、この技術も使われているだろう。
URLﾘﾝｸ(www.oki-printed.co.jp)
833:名無しＳＵＮ
11/06/15 11:21:19.83 IItdxDT3
>>810
半導体 メッキ工程 の外注だと、ここかな
URLﾘﾝｸ(www.kiyokawa.co.jp)
834:名無しＳＵＮ
11/06/15 16:07:27.30 1kjeDrIQ
コンタクトをメッキでする？ 信じられない
金の電解液に使われている金の純度は99.99で不純物が多く、バンプとか
パッドにしか使っていないけど？
スパッターか蒸着だと思うけど、大変さはこれでも読めば分るよ
URLﾘﾝｸ(www.sciencedirect.com)
URLﾘﾝｸ(www.springerlink.com)