11/03/07 10:49:32.30 HLtJf5yC
では、そろそろ締めと言うことでまとめましょう
>>687 より DHBT には、コレクタ領域に薄い 100オングストロームの厚さの
PN接合を追加している。この追加した PN接合の堆積層が質が悪いと長時間動作で
パンチスルーしてしまう可能性がある。この層が壊れると DHBT だった
トランジスタが SHBT に変わり Vceo が低下したトランジスタになり破壊に
繋がる。
>>688 より製品では、SHBT の方が、信頼性が良いのは当たり前であるが Vceo
が低いことを理解する必要がある。
化合物半導体に使われるウェハは、まだシリコンのように無欠陥で結晶を作る
ことが難しい。従って、製造歩留りが思った程良くない。
製造の難しさ等を含めた条件より、SHBT の方が良いが、ウェハの欠陥率から
考えると DHBT の方が良い。しかし長時間動作より、コレクターエミッタ間
電圧は、SHBT と同じ程度の電圧がかかるように設計しておく。
その結果、低電圧動作で回路設計する技術が必要になる。プロセスで容量も
作れるようにした方が良い。以下の資料は、SiGe BiCMOS で電源電圧2.5vで
設計されているので参考になります。
URLﾘﾝｸ(www.alma.nrao.edu)