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東芝、HynixとMRAM技術を共同開発
7月13日 発表
株式会社東芝は13日、不揮発性の磁気メモリ「MRAM」(Magnetoresistive Random Access Memory：磁気
抵抗型RAM)の技術を、韓国Hynix Semiconductorと共同開発することで合意したと発表した。Hynixの研究施
設(韓国・利川)に両社の技術者を集め、共同開発を行なう計画。
MRAMは磁気の向きによる電気抵抗の違いで値を決める不揮発性メモリ。消費電力が低く、書き込み速度が
速い。東芝はMRAMの研究開発を続けてきたが、今回のHynixとの共同開発で開発コストを抑えつつ、早期の
実用化を目指す。NANDフラッシュメモリとMRAMを組み合わせたシステムで、NANDの新アプリケーションも見
込む。
将来的には、製造での協業も協議していく予定としている。
□ニュースリリース
URLﾘﾝｸ(www.toshiba.co.jp)
□ニュースリリース(英文)
URLﾘﾝｸ(www.hynix.com)
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(2011年 7月 13日)
[Reported by 山田 幸治] PC Watch
URLﾘﾝｸ(pc.watch.impress.co.jp)