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三星（サムスン）電子が 日本の東芝、 米インテルなどが推進する次世代半導体製造技術の開発に参
加すると、日本経済新聞が18日（現地時間） 報道（※１）した。
同紙によると、これらの国際プロジェクトチームは来る2016年までに、半導体の回路線幅を現在の最
先端製品の半分以下である10ナノメートル（ナノは10億分の1）にまで縮小し、半導体の容量を増大
させる計画だ。
今回のプロジェクトを主導する東芝と、ＨＯＹＡ、凸版印刷などの日本企業11社が共同出資をして
「ＥＵＬＶ基盤開発センター（ＥＩＤＥＣ）」を設立する。これらの企業は 、経済産業省の支援を
受けて、茨城県つくば市の研究開発センターで共同開発に着手する予定だ。
プロジェクトには、三星（サムスン）と、インテルの他、 韓国ハイニックス半導体、世界最大のファ
ウンドリーである台湾のTSMC社なども参加する。
日本政府と民間企業が組織した半導体の開発プロジェクトに、外国の半導体企業が参加したのは今回
が初めてだと知られる。
サムスンと東芝は10ナノの技術を、携帯電話などに使用されるＮＡＮＤ型フラッシュメモリなどに活
用する見通しだ。この場合、切手サイズのメモリー半導体で現在の３倍の容量となり、高画質ムービ
ー100本を記録出来る。
etoday／韓国語（2011/06/18 09:39:58）
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