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日本のエルピーダに対応
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チェ・ジソン副会長
チェ・ジソン三星電子副会長は４日、三星需要社長団会議で「製品リーダーシップと業界１位を維持
するには、競争会社より１年は先んじなければならない」と強調した。
半導体ＤＲＡＭ分野での日本のライバルであるエルピーダが25ナノ級ＤＲＡＭを世界最初に開発・量産
するという報道直後に出た発言だ。
チェ副会長は「半導体に限らず１年は先んじてこそ持続的な価格競争力を備えながら市場を主導出来
る」としながらも「どんな場合でも自惚れてはいけない」と付け加えた。
どんな場合でも１位の位置を保つことが難しいだけに、１年ほどはいつも先んじなければならないと
いう考えで緊張するべきで、自惚れた瞬間いつでも順位がひっくり返ることが競争の世界だという意味
に解釈される。
クォン・オヒョン三星電子半導体事業部社長は「三星電子がエルピーダに遅れをとったという報道を
見て、心配する系列会社の社長がいるようだ」としたが「エルピーダが７月から量産すると言うのだから
待ってみよう」と述べた。
クォン社長は「エルピーダの主力は50ナノ級で、三星電子は40ナノ、35ナノが主力」と述べ、エルピ
ーダの今回の発表に対して懐疑的な見解を表わしたと伝えられた。
実際に、2009年にはエルピーダが40ナノを開発したと発表したが、まだ市場では見つけるのが難しく、
昨年は30ナノを開発したと発表し直ちに出荷すると言ったなど、意味ある量産がなされないでいると
三星側は説明した。
三星電子側は20ナノ級ＤＲＡＭに対して研究所段階では開発されており、量産開始を前に公式発表
する予定だと明らかにした。
業界によれば20ナノ級ＤＲＡＭ量産時期は早ければ８月末～９月初めになると予想される。
毎日経済／韓国語（2011/05/04 17:22:55）
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