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【社説】19年ぶりに再逆転した韓日のDRAM技術
日本の半導体大手エルピーダメモリが、半導体回路の幅を25ナノメートル（10億分の
1メートル）まで小さくしたDRAM（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）を
世界で初めて開発し、7月から量産すると発表した。メモリー半導体で世界トップのシェアを
誇るサムスン電子は、現在35ナノDRAMが主力で、20ナノクラスは今年末ごろから生産に入る
という。
1992年にサムスン電子が世界で初めて64メガDRAMを開発して以来、韓国はこれまで半導体
集積度競争で一度も日本に後れを取ったことがなかった。集積度とは、一つのチップにどれ
だけ多くの回路や機能を入れることができるかということだ。サムスン電子はこれまで、
DRAM分野でだけは日本、米国、台湾、ドイツのライバル各社に比べ6カ月以上先を行っていると
自信を持ってきた。ところがエルピーダが25ナノ製品の開発に成功したことで、サムスンの
自負心は崩壊した。
エルピーダは今年1－3月期に60億円もの営業赤字を記録し、営業利益率もマイナス7%に
まで落ち込むなど、極度の経営不振に苦しんでいる。サムスン電子の半導体事業部門の営業
利益率は18%だ。しかもエルピーダは、30ナノクラスの製品でさえ本格生産を行っていない。
そのためエルピーダが発表通り25ナノ製品を市場に投入できるかどうかは、最後まで見極める
必要があるだろう。
いずれにしても今回のエルピーダの発表を通じ、日本の半導体技術の底力を改めて認識する
ことができた。日本の半導体産業は1980年代に世界のDRAM市場の80%を占めたが、最近は10%
前後にまで落ち込んでいる。またDRAMメーカーも、NECと日立のメモリー事業部が合併した
エルピーダ1社しか残っていない。しかし日本は今も、半導体回路設計や微細加工などで世界
トップレベルの技術力を誇っている。エルピーダの技術力に台湾メーカーの優れた大量生産
ノウハウがプラスされれば、サムスン電子の技術優位も一瞬にして崩壊しかねない。
サムスン電子はスマートフォン（多機能携帯電話端末）時代の到来を予測できず、アップル社の
iPhoneの普及によって大きな打撃を受け、その後遺症は今も残っている。その上今回は、サム
スン電子が最も自信を持つDRAM分野でも技術開発競争でエルピーダに先を越された。IBMは大型
コンピュータに力を入れ最終的にパソコン市場から撤退し、マイクロソフトは従来からある
ソフトウェアの改良にばかり力を入れ、今ではグーグルにIT（情報技術）業界の主導権を
奪われている。サムスン電子もこれまで20年近くトップの座を守ってきたが、組織内部に官僚
主義が広まり、企業イノベーションの原動力となる創造的破壊の速度も目に見えて遅くなった。
世界との厳しい競争にさらされるグローバル企業として、これは非常に憂慮すべき状況と言わ
ざるを得ない。DRAMの技術開発競争で19年ぶりに韓日が再逆転した影響は、今後も注意深く
見守らなければならないだろう。
朝鮮日報／朝鮮日報日本語版
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★1成立時刻 2011/05/04(水) 13:03:48.97
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