【韓国】エルピーダが25ナノDRAM開発 日本に逆転許した半導体微細化競争[05/02]at NEWS4PLUS
【韓国】エルピーダが25ナノDRAM開発 日本に逆転許した半導体微細化競争[05/02] - 暇つぶし2ch27:<丶`∀´>(´・ω・`)(`ハ´  )さん
11/05/03 11:32:06.40 M7/8rmyB
東芝は米サンディスクと合弁で日本にフラッシュメモリーの工場を設置した。
東芝は先月、早ければ7月にも同工場で19ナノメートル製造プロセスを採用したメモリー製品を生産すると発表した。
サムスン電子が生産している20ナノメートルクラスの製品よりも集積度が高いため、サムスンはにわかに緊張している。


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