19/05/15 05:46:47.79 .net
H-C 単結合の電子軌道エネルギーは >>83
1級C < 2級C < 3級C
C から H+ が脱離する場合、
1級C < 2級C < 3級C
の順で起こりやすい。したがって最もCの多い基と二重結合する。(Saytzev則)
・H－C 結合解離エネルギー >>86
H－Me 4.50 eV メタン
H－Et 4.27 eV エタン
H－CMe3 4.01 eV iso-ブタン
19/05/15 05:46:47.79 .net
H-C 単結合の電子軌道エネルギーは >>83
1級C < 2級C < 3級C
C から H+ が脱離する場合、
1級C < 2級C < 3級C
の順で起こりやすい。したがって最もCの多い基と二重結合する。(Saytzev則)
・H－C 結合解離エネルギー >>86
H－Me 4.50 eV メタン
H－Et 4.27 eV エタン
H－CMe3 4.01 eV iso-ブタン