10/01/20 17:59:23 758jDC6B
●ハイニックス、'6Fスクエア'導入…生産性高める
30ナノ級工程から導入、生産性の15%向上を期待
入力:2010.01.20 11:00
URLﾘﾝｸ(www.edaily.co.kr)
[イーデイリーキム・ジョンス、チョ・テヒョン記者]ハイニックス半導体(000660)(25、400ウォン200 -0.78%)が、
次世代の30ナノ級のDラム工程から、6Fスクエア(6F2)技術を導入する。
20日の業界によれば、ハイニックスは30ナノ級工程への開発を、早ければ年末までに終えて6F2技術を導入し、
本格量産に突入する予定だ。
6F2技術は、米国のマイクロンが去る2002年に130ナノ工程で、最初に導入した。 引き続き三星電子
(005930)(834,000ウォン11,000 +1.34%)が、2007年の1分期に80ナノ工程に導入し、エルピーダは2008年の1分期
に65ナノの工程から適用した。
6F2は、半導体の集積度向上のための技術で、半導体のセル大きさを減らすことをいう。
ハイニックスは今まで8F2技術で半導体を生産してきた。 これはセルの大きさが2F×4Fの半導体をいう。
6F2は、セルの大きさを2F×3Fに減らし、生産性の向上をもたらすことになる。 理論上約15%程度の生産性
の向上を期待することができる。
セルの大きさが小さくなり、一定のウェハーから生産できる半導体の数量が、増えるためだ。 (図参照)
今までハイニックスは、8F2技術を適用し、半導体を生産してきた。 しかし30ナノ級工程に突入したことで、8F2
技術では生産性の向上に限界があるという判断により、6F2技術を適用することにしたのだ。
6F2の技術導入が、ハイニックスに及ぼす影響に対しては、見解が交錯している。
一部では三星電子など6F2を導入した会社が、導入初期に収率の下落で苦戦したという点を指摘している。
（1/2）続きます。