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iFixit、「iPhone 4S」を早速分解--RAMは512Mバイト
2011/10/14 07:49
iFixitによる「iPhone 4S」の分解が米国時間10月13日に進行中である。これまでに判明した主な特徴は、システムメモリと改良されたバッテリである。
メモリ：iFixitの分解によると、Appleの「A5」チップには512Mバイトのメモリが搭載されてい
るという。これはシステムメモリ、つまりRAMである点に注意してほしい。容量は「iPhone 4」と同じである。
バッテリ：iFixitによると、AppleはWHr（ワット時）をわずかに改良しているという。正確に
は0.05WHr長くなっている。「目を凝らしてよくよく見てみると、バッテリがiPhone 4よりも
0.05WHr改良されている」とiFixitは述べている。iPhone 4Sの3Gネットワーク上の通話時間は、
iPhone 4よりも改善されている。iFixitは、iPhone 4Sのスタンバイ時間は100時間短いと付け加
えている。これはちょっと覚えておくべき点である。
AppleのA5 System-on-a-chip（SoC）：iFixitの分解と並行して分析を実施しているAnandtech
によると、A5はサムスン製で、「iPad 2」に搭載されているものとほぼ同じSoCのようだという。
「高いレベルではこの部分に新たな発見は何もない。iPhone 4Sに搭載されているA5は、クロック
速度が低く、おそらくは電圧も低い点を除いて、実質的にiPad 2で使用されていたものと同一である。」とAnandtechは述べている。
Qualcomm製ベースバンド（3G）チップ：iPhone 4SにはQualcomm製の「MDM6610」が搭載されて
おり、iPhone 4に搭載されていたQualcommの「MDM6600」からアップグレードされている。しかし、
これによってどのような利点があるのかについてはまだ明らかではない。以前のMDM6600では、最大14.4MbpsのHSPA+のデータ速度とCDMA2000 1xEV-DO Rev. A/Rev. Bがサポートされていた。
ストレージ/NANDフラッシュチップ：東芝製の16Gバイトのマルチレベルセル（MLC）フラッシュ
メモリチップ。MLCは一般的に、シングルレベルセル（SLC）フラッシュメモリよりも安価で低速である。
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