22/06/26 15:11:30.89 Y2MohCrz0.net BE:158879285-PLT(16151)
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東北大学や日本製鋼所、三菱ケミカルの研究グループは、次世代半導体の基板材料として期待されている窒化ガリウム（GaN）結晶の新しい製造手法を開発した。
結晶中にできる微細な空洞の数が従来手法に比べて最大1000分の1程度に減り、半導体の寿命延長につながる可能性がある。
三菱ケミカルは同手法を活用して2022年中にGaN基板のサンプルを出荷し、23年度以降に量産することを目指す。
実験では直径5センチメートル、厚さ5ミリメートルの結晶の製作に成功した。
研究グループはセ氏数百度、約1000気圧の高温高圧環境で、気体と液体の区別が付かない状態「超臨界相」にしたアンモニアに小さな窒化ガリウム結晶を溶かした。
結晶はアンモニアに溶けた後、研究グループが開発した手法を使って作った種結晶の周りに析出する。
超臨界相を使うと固体になりづらい窒素原子がきれいに並ぶという。
従来の手法と比べ不具合につながる微細な空洞の数が最大1000分の1程度になった。
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