09/02/22 21:00:03 aAKIHYGn
世界初４０ナノＤＤＲ３ ＤＲＡＭをハイニックスが開発
ハイニックス半導体が回路線幅４０ナノクラスのナノプロセスによる
ＤＤＲ３ＤＲＡＭを生産する技術を初めて開発した。
最近ＤＤＲ２ＤＲＡＭ開発で初めて４０ナノ半導体時代を開いたサムスン電子に次いでハイニックスもこの隊列に加わった。
他の国の競合メーカーとの技術格差は２～３に拡大した。
ハイニックス半導体が８日に公開した４０ナノ製品は、１ギガビット容量のＤＤＲ３ＤＲＡＭで、第３四半期に量産に入る。
昨年初めて市場に登場したＤＤＲ３は、ＤＤＲ２より動作速度が速く、
来年上半期にはＤＲＡＭ分野の主力製品として浮上する見通しだ。
三星電子も４０ナノＤＤＲ２技術を活用して第３四半期に２Ｇｂ容量の４０ナノＤＤＲ３を生産する予定だ。
半導体産業でナノプロセス技術は競争力の根源となる。国内メーカーの４０ナノＤＲＡＭの生産性は従来の５０ナノ製品より５０～６０％高い。
さらに現在の５０ナノプロセスを運営するメーカーも三星電子とハイニックスだけだ。
下半期に４０ナノプロセスまで稼働すれば、６０～７０ナノプロセスにとどまる海外メーカーとの格差はより広がる。
国内半導体メーカーは資金面でも状況はましなほうだ。三星電子は半導体で昨年第４四半期に赤字に転落したが、
営業損失率は１４％にとどまり、年間では黒字を守った。昨年１兆９０００億ウォン（約１２７０万円）の営業損失を出したハイニックスは
最近借入と有償増資で８２４０億ウォンを調達したのに続き、装備売却などで１兆ウォンを追加で確保する計画だ。
これに対し世界５位の独キマンダは先月に破産を申請した。
３位の日本のエルピーダメモリは昨年第４四半期に営業損失率９３．７％に達し、政府に５００億円の公的資金注入の要請を検討している。
台湾も自国のＤＲＡＭメーカーを支援するため政府が７００億台湾ドルの資金を確保している。
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