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横国大、「光ランダムアクセス量子メモリ」の原理実証に成功
著者：波留久泉
横浜国立大学(横国大)は7月29日、ダイヤモンド中の「窒素-空孔中心」(NV中心)からなるスピン量子ビットを、独自の手法で高空間分解能かつ高忠実度に制御し、「光ランダムアクセス量子メモリ」の原理実証をすることに成功したと発表した。
同成果は、横国大大学院 工学研究院/先端科学高等研究院の関口雄平助教、同・小坂英男教授らの研究チームによるもの。
詳細は、英科学誌「Nature」系の光学に関する全般を扱う学術誌「Nature Photonics」に掲載された。
（以下略、続きはソースでご確認ください）
マイナビニュース 2022/08/01 19:23
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