22/05/31 20:20:16.59 CAP_USER.net
８インチのSiCウエハー開発へ、昭和電工と産総研が手を組んだ
昭和電工は産業技術総合研究所（産総研）と協力し、炭化ケイ素（ＳｉＣ）バルク単結晶の高速成長技術開発に取り組む。
２０３０年度までにＳｉＣウエハーの欠陥密度を１０分の１以下にすることで、現在主流の６インチの次段階である８インチウエハー開発を目指す。
（以下略、続きはソースでご確認ください）
ニュースイッチ 2022年05月31日
URLﾘﾝｸ(newswitch.jp)