22/04/25 20:54:54.22 CAP_USER.net
NTTが世界初の窒化アルミ電界効果トランジスタ、高温高耐圧「パワー半導体」実現へ
ＮＴＴ物性科学基礎研究所の広木正伸主任研究員と谷保芳孝上席特別研究員らは、窒化アルミニウムの電界効果トランジスタを開発した。
絶縁破壊電圧は１７００ボルトと大きく、５００度Ｃの電流値は１００万倍のオンオフ比を実現した。
耐熱性が高いと高温下でも冷却なしで稼働できる。
窒化アルミでのトランジスタ動作は世界初。
高温高耐圧のパワー半導体の開発につながる。
トリメチルアルミニウムとアンモニアガスを反応させて、窒化アルミの結晶を成長させる。
ここで微量のシリコンを添加すると絶縁体の窒化アルミが半導体になる
。結晶の欠陥を抑制して電子移動度を高めた。
（以下略、続きはソースでご確認ください）
ニュースイッチ 2022年04月25日
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