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SiCの研磨効率を従来比で10倍向上させる加工技術を立命館大が開発
著者：小林行雄
立命館大学は11月30日、次世代パワー半導体材料であるSiCの研磨効率を従来の10倍に向上させる加工技術の開発に成功したことを発表した。
同成果は、同大 理工学部機械工学科2020年度卒業生のChe Nor Syahirah Binti Che Zulkifle氏、同大 理工学研究科博士課程前期課程機械システム専攻2回生の巴山顕真氏、および同 村田順二 准教授らの研究グループによるもの。
詳細はElsevier発行の国際学術雑誌「Diamond and Related Materials」に掲載された。
（以下略、続きはソースでご確認下さい）
マイナビニュース 2021/11/30 19:46
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