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JSTなど、SiCパワー半導体の高発熱密度化に対応した冷却システムを開発
著者：波留久泉
科学技術振興機構(JST)、大阪大学発のベンチャーであるロータス・サーマル・ソリューション、山口東京理科大学(山口理科大)の3者は9月21日、パワー半導体において面積当たりの消費電力が増加して素子の耐熱限界が近づいている状況に対応可能な高効率な沸騰冷却器を開発したことを発表した。
また今回の成果に対してJSTは、研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)企業主導フェーズ NexTEP-Bタイプの開発課題「自発的冷却促進機構を有する高性能車載用冷却器」において、目指していた成果が得られたと評価したことも併せて発表している。
（以下略、続きはソースでご確認下さい）
マイナビニュース 2021/09/22 21:16
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