21/04/02 08:26:37.59 ou/ukN7X.net
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キオクシア、最先端メモリー開発
書き込み速度2倍に
URLﾘﾝｸ(www.nikkei.com)
半導体大手のキオクシア（旧東芝メモリ）は、データ保存に使うNAND型フラッシュメモリーで、データを保存する「記憶素子」の層を世界最先端水準の約170層にできる技術を開発した。現在の112層のタイプに比べ書き込み速度は2倍以上になる。
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キオクシア、四日市の新工場棟で起工式
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