08/12/15 19:30:08.58 zq8qG6Br BE:11261344-PLT(12000) ポイント特典
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米IBM Corp.，米Advanced Micro Devices，Inc.，米Freescale Semiconductors，Inc.の3社，
いわゆる「IBM連合」は，2008年12月15～17日に開催される学会「2008 IEEE International
Electron Devices Meeting（IEDM 2008）」で，22nm世代プロセスに互換な技術で開発した
SRAMについて発表する。
「6T-SRAMとしては世界最小」（3社）。完全に動作することも確認したという。
このSRAMの面積は0.554μm×0.180μmの0.1μm2。 トランジスタのゲート長は25nmで
あるという。
URLﾘﾝｸ(techon.nikkeibp.co.jp)
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