14/10/09 14:01:40.53 8/iKPuwQ0
部下を怒鳴りつけ手柄を横取りするクズがこいつの正体です
「自発的なもので，中村氏に命じられたものではない」（同氏）。走査型電子顕微鏡を使って電子線を照射したり，化学処理したりするがすべて失敗する。
そしてある時，「電子ビーム蒸着装置」の電子銃を使うことを思い付いて実行すると，強力な電子線で割れた，MgをドープしたGaN単結晶のサンプルがp型化を示していた。
その後，妹尾氏は再現性の実験を繰り返す。確証を得たら中村氏に知らせるつもりだった。
ところが，3日ほどたった時に中村氏に見つかり，黙っていたことを怒られたという。
2人はこの実験を基に専用の電子線照射装置を外注し，1991年11月に受領した。
だが，結局この電子線照射装置を同社が量産工程で使うことはなかった。
1991年に入社した岩佐氏が，わずか6カ月後の同年9月末に，加熱処理によるGaN単結晶のp型化（アニールp型化現象）を偶然発見したからだ。
この方が量産性に優れていた。
薄いサファイア基板にGaN単結晶を製膜すると熱膨張の差で反りが発生する。
岩佐氏はそれを抑えるために，サファイア基板に液状酸化ケイ素を塗布し，焼き固めることで反りを強制的に抑える方法を試した。
そのうち，「加熱すると結晶の質が変わるのではないか」と考えた同氏は，p型GaN単結晶を加熱してみることにした。
すると，MgをドープしたGaN単結晶は400℃ほどでp型からn型に変化するが，さらに温度を上げて600℃以上にすると再びp型化することを発見した。
この実験を基に「加熱処理だけでp型化できる」と推測した岩佐氏は中村氏に報告する。ところが中村氏は全く信用しなかったため，岩佐氏は再実験して確認した後，報告し直したという。
その時にも「そんなはずがない。間違っているだろう」と中村氏に否定されるが，岩佐氏が自信に満ちた態度で断言すると，中村氏は自ら確認実験を行った。
このアニールp型化現象を発見する上で岩佐氏は「中村氏から全く指示は受けていない。入社間もなくてほとんど口を利いてくれなかったほど」と証言する。
後に中村氏は，妹尾氏や岩佐氏が実現もしくは発見したp型化現象を，理論を後付けした上で誰にも知らせずに，妹尾氏や岩佐氏と連名の論文として発表する。
筆頭者（ファーストオーサー）は中村氏だった。
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